MSMBG100Ae3

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Ražotājs
Microchip Technology
Kategorijas
TVS Diodes / ESD Suppressors
Breakdown Voltage
111 V
Clamping Voltage
162 V
Ipp - Peak Pulse Current
3.7 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
DO-215AA-2
Packaging
Bulk
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
600 W
Product Type
TVS Diodes
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
100 V

Jaunākās atsauksmes

Very good!

Very good and reliable device, thank you, keep it rolling! Highly recommend to buy!

fast delivery, item as described, thanks!!

Thank You all fine, packed very well

High Quality driver, works excellent. It came to Moscow for 7 days.

Jums var patikt

MSMBG100A
Microchip Technology
MSMBG100A
Microchip Technology
MSMBG100Ae3
Microchip Technology
MSMBG100Ae3
Microchip Technology

Cilvēki skatās MSMBG100Ae3, tad nopirka

MSMBG100A
Microchip Technology
MSMBG100A
Microchip Technology
MSMBG100Ae3
Microchip Technology
MSMBG100Ae3
Microchip Technology

Saistītie atslēgvārdi MSMB

  • MSMBG100Ae3 Integrēta
  • MSMBG100Ae3 RoHS
  • MSMBG100Ae3 PDF datu lapa
  • MSMBG100Ae3 Datu lapas
  • MSMBG100Ae3 Daļa. \ T
  • MSMBG100Ae3 Pirkt
  • MSMBG100Ae3 Izplatītājs
  • MSMBG100Ae3 PDF
  • MSMBG100Ae3 Komponents
  • MSMBG100Ae3 IC
  • MSMBG100Ae3 Lejupielādēt PDF failu
  • MSMBG100Ae3 Lejupielādēt datu lapu
  • MSMBG100Ae3 Piegāde
  • MSMBG100Ae3 Piegādātājs
  • MSMBG100Ae3 Cena
  • MSMBG100Ae3 Datu lapas
  • MSMBG100Ae3 Attēls
  • MSMBG100Ae3 Bilde
  • MSMBG100Ae3 Inventarizācija
  • MSMBG100Ae3 Krājumi
  • MSMBG100Ae3 Oriģināls
  • MSMBG100Ae3 Lētākais
  • MSMBG100Ae3 Teicami
  • MSMBG100Ae3 Bez svina
  • MSMBG100Ae3 Specifikācija
  • MSMBG100Ae3 Karstie piedāvājumi
  • MSMBG100Ae3 Break cena
  • MSMBG100Ae3 Tehniskie dati