1N8182e3

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Ražotājs
Microchip Technology
Kategorijas
ESD Suppressors / TVS Diodes
Breakdown Voltage
190 V
Cd - Diode Capacitance
4 pF
Clamping Voltage
294 V
Ipp - Peak Pulse Current
510 mA
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
A-Package-2
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
150 W
Product Type
TVS Diodes
Termination Style
Axial
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Working Voltage
170 V

Jaunākās atsauksmes

Perfectly.

Works. Find the price of this product is very good

Order is very quickly, before Moscow flew for 12 days! Many thanks to the seller!

goods delivered was отслеживался very fast (башкирию 7 days) excellent дошло seller in excellent condition all recommend!!!!

Works. Recommend

Jums var patikt

1N8147
Microchip Technology
1N8147
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology

Cilvēki skatās 1N8182e3, tad nopirka

1N8147
Microchip Technology
1N8147
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology
1N8147e3
Microchip Technology

Saistītie atslēgvārdi 1N81

  • 1N8182e3 Integrēta
  • 1N8182e3 RoHS
  • 1N8182e3 PDF datu lapa
  • 1N8182e3 Datu lapas
  • 1N8182e3 Daļa. \ T
  • 1N8182e3 Pirkt
  • 1N8182e3 Izplatītājs
  • 1N8182e3 PDF
  • 1N8182e3 Komponents
  • 1N8182e3 IC
  • 1N8182e3 Lejupielādēt PDF failu
  • 1N8182e3 Lejupielādēt datu lapu
  • 1N8182e3 Piegāde
  • 1N8182e3 Piegādātājs
  • 1N8182e3 Cena
  • 1N8182e3 Datu lapas
  • 1N8182e3 Attēls
  • 1N8182e3 Bilde
  • 1N8182e3 Inventarizācija
  • 1N8182e3 Krājumi
  • 1N8182e3 Oriģināls
  • 1N8182e3 Lētākais
  • 1N8182e3 Teicami
  • 1N8182e3 Bez svina
  • 1N8182e3 Specifikācija
  • 1N8182e3 Karstie piedāvājumi
  • 1N8182e3 Break cena
  • 1N8182e3 Tehniskie dati