MSMBG13Ae3

Attēli ir tikai norādei

Specifikācijas

Ražotājs
Microchip Technology
Kategorijas
ESD Suppressors / TVS Diodes
Breakdown Voltage
14.4 V
Clamping Voltage
21.5 V
Ipp - Peak Pulse Current
27.9 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
DO-215AA-2
Packaging
Bulk
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
600 W
Product Type
TVS Diodes
Termination Style
SMD/SMT
Working Voltage
13 V

Jaunākās atsauksmes

Takes 8 days to Japan. Good!

Hello! Order received, very happy. Thank you very much!

Goods came in two weeks. Well packed. Track number tracked

Good product. Very small and well built. Ii is not produce any kind of. nterferences RFi. Quick delivery

Works. Recommend

Jums var patikt

MSMBG100A
Microchip Technology
MSMBG100A
Microchip Technology
MSMBG100Ae3
Microchip Technology
MSMBG100Ae3
Microchip Technology

Cilvēki skatās MSMBG13Ae3, tad nopirka

MSMBG100A
Microchip Technology
MSMBG100A
Microchip Technology
MSMBG100Ae3
Microchip Technology
MSMBG100Ae3
Microchip Technology

Saistītie atslēgvārdi MSMB

  • MSMBG13Ae3 Integrēta
  • MSMBG13Ae3 RoHS
  • MSMBG13Ae3 PDF datu lapa
  • MSMBG13Ae3 Datu lapas
  • MSMBG13Ae3 Daļa. \ T
  • MSMBG13Ae3 Pirkt
  • MSMBG13Ae3 Izplatītājs
  • MSMBG13Ae3 PDF
  • MSMBG13Ae3 Komponents
  • MSMBG13Ae3 IC
  • MSMBG13Ae3 Lejupielādēt PDF failu
  • MSMBG13Ae3 Lejupielādēt datu lapu
  • MSMBG13Ae3 Piegāde
  • MSMBG13Ae3 Piegādātājs
  • MSMBG13Ae3 Cena
  • MSMBG13Ae3 Datu lapas
  • MSMBG13Ae3 Attēls
  • MSMBG13Ae3 Bilde
  • MSMBG13Ae3 Inventarizācija
  • MSMBG13Ae3 Krājumi
  • MSMBG13Ae3 Oriģināls
  • MSMBG13Ae3 Lētākais
  • MSMBG13Ae3 Teicami
  • MSMBG13Ae3 Bez svina
  • MSMBG13Ae3 Specifikācija
  • MSMBG13Ae3 Karstie piedāvājumi
  • MSMBG13Ae3 Break cena
  • MSMBG13Ae3 Tehniskie dati